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中山銦尼鐳斯科技有限公司

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半導體激光器發(fā)射激光的基本條件是什么?

發(fā)布時間:2019-11-22

半導體激光器發(fā)射激光的基本條件:要產(chǎn)生足夠的 粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布,即高能態(tài)粒子數(shù)足夠的大于處于低能態(tài)的粒子數(shù)。根據(jù)固體的能帶理論,半導體材料中電子的能級形成能帶。高能量的為導帶,低能量的為價帶,兩帶被禁帶分開。引入半導體的非平衡電子-空穴對復合時,把釋放的能量以發(fā)光形式輻射出去,這就是載流子的復合發(fā)光。一般所用的半導體材料有兩大類,直接帶隙材料和間接帶隙材料,其中直接帶隙半導體材料如GaAs(砷化鎵)比間接帶隙半導體材料如Si有高得多的輻射躍遷幾率,發(fā)光效率也高得多。半導體復合發(fā)光達到受激發(fā)射(即產(chǎn)生激光)的必要條件是:①粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布分別從P型側(cè)和n型側(cè)注入到有源區(qū)的載流子密度十分高時,占據(jù)導帶電子態(tài)的電子數(shù)超過占據(jù)價帶電子態(tài)的電子數(shù),就形成了粒子數(shù)反轉(zhuǎn)分布。②光的諧振腔在半導體激光器中,諧振腔由其兩端的鏡面組成,稱為法布里一珀羅腔。③高增益用以補償光損耗。諧振腔的光損耗主要是從反射面向外發(fā)射的損耗和介質(zhì)的光吸收。

半導體激光器發(fā)射激光的基本條件:要滿足一定的閥值條件,以使光子增益等于或大于光子的損耗。

半導體激光器發(fā)射激光的基本條件:有一個合適的諧振腔能夠起到反饋作用,使受激輻射光子增生,從而產(chǎn)生激光震蕩。

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