肖特基二極管的結構： 新型高壓肖特基二極管的結構和材料與傳統(tǒng)肖特基二極管是有區(qū)別的。傳統(tǒng)SBD是通過金屬與半導體接觸而構成。金屬材料可選用鋁、金、鉬、鎳和鈦等，半導體通常為硅（Si）或砷化鎵（GaAs）。由于電子比空穴遷移率大，為獲得良好的頻率特性，故選用N型半導體材料作為基片。為了減小SBD的結電容，提高反向擊穿電壓，同時又不使串聯(lián)電阻過大，通常是在N+襯底上外延一高阻N－薄層。CP是管殼并聯(lián)電容，LS是引線電感，RS是包括半導體體電阻和引線電阻在內的串聯(lián)電阻，Cj和Rj分別為結電容和結電阻（均為偏流、偏壓的函數(shù)）。 廣東固锝電子科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)銷售肖特基二極管二十多年，電流主要分為1A、2A、3A、5A、8A、10A、15A、20A、30A、45A，廣泛用于各類電源及消費類電子產(chǎn)品中。 整流二極管的損壞原因： 運行條件惡劣。間接傳動的發(fā)電機組，因轉速之比的計算不正確或兩皮帶盤直徑之比不符合轉速之比的要求，使發(fā)電機長期處于高轉速下運行，而整流管也就長期處于較高的電壓下工作，促使整流管加速老化，并被過早地擊穿損壞。 廣東固锝電子科技有限公司專業(yè)生產(chǎn)銷售各類整流二極管二十多年，產(chǎn)品包