砷化銦是由銦和砷構(gòu)成的Ⅲ一V族化合物半導(dǎo)體材料。常溫呈銀灰色固體,具有閃鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為0.6058nm,密度為5.66g/cm(固態(tài))、5.90g/cm(熔點(diǎn)時(shí)液態(tài))。能帶結(jié)構(gòu)為直接躍遷
一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點(diǎn)1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3
人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。 外觀:橙紅色透明晶體。 磷化稼是一種由n從族元素鑲(Ga)與vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半導(dǎo)體材料。
一、硅外延的定義 硅外延工藝實(shí)際上是一種薄層的單晶生長(zhǎng)技術(shù),它是在一定的條件下,在硅單晶的襯底片上,沿單晶的結(jié)晶方向生長(zhǎng)一層具有一定導(dǎo)電類型,電阻率、厚度、晶格結(jié)構(gòu)與體單晶一致的新單晶層。 二、硅外延
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單晶硅片:硅的單晶體,是一種具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體。不同的方向具有不同的性質(zhì),是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%,甚至達(dá)到99.9999999%以上。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽(yáng)能電
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單壁高純碳納米管 產(chǎn)品基本參數(shù) 純度:>90% 外徑:1-2nm [OD=Outer Diameter] 內(nèi)徑:0.8-1.6nm [ID=Inner D
主要參數(shù): 產(chǎn)品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Ag 99.9% 50nm 5㎡/g 0.4g/cm3 灰色 主要用途 導(dǎo)電
主要參數(shù): 產(chǎn)品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米W 99.9% 50nm 5㎡/g 2.5g/cm3 紫色
主要用途 ★ 金屬和非金屬的表面導(dǎo)電涂層處理 納米銅粉體有高活化表面,在無(wú)氧 條件下可在低于粉體熔點(diǎn)的溫度實(shí)施涂層。應(yīng)用于微電子器件的生產(chǎn)。 ★ 催化劑 銅及其合金納米粉體用作催化劑,
主要參數(shù): 產(chǎn)品 純度 粒度 比表面積 松裝密度 外觀顏色 納米Fe 99.9% 50nm 9㎡/g 0.35g/cm3 黑色 主要用途 納
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